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硅片甩干机厂家简述半导体硅中杂质对性能的影响

 发布时间:2016-09-19 点击量:450
   硅片甩干机厂家解释在形态上,直拉单晶硅形状一般为圆柱形,而铸造多晶硅一般铸造成硅锭,为方形。在质量上由于单晶的工艺要求较高,其纯度一般要求在六个九以上;而相对的,铸造多晶硅的纯度要求相对较低。在能耗上,单晶由于有拉晶的过程,相对能耗远大于铸造多晶硅。而在晶体形状上,单晶硅的形状比较规则,其中晶体的缺陷明显较少,而多晶硅只满足短程有序,其形状规则性较差。
 
  本征半导体Si、Ge等的四个价电子,与另四个原子构成四个共价键,硅片甩干机厂家说明当掺入少量的五价原子(如P、As)时,就形成了n型半导体,由量子力学知识可知,这种掺杂后多余的电子的能级在禁带中紧靠空带处,DED~10-2eV,极易形成电子导电。则半导体中的电子变为主要载流子,在室温下,除了本征激发之外还受到杂质电离的影响,载流子浓度增加,使半导体的电导率上升;而当掺入的杂质为三价原子时(如B、Ga、In等),多余的空穴的能级在禁带中紧靠满带处,DED~10-2eV,极易形成空穴导电,空穴为其主要载流子,与N型材料类似的,在室温下,由于杂志电离效果的存在,掺杂后的半导体硅的载流子浓度增大,电导率增大。

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