普通的清洗方法一般不能达到孔内,而孔内芯料的反应生成物及其他污染物会在后序工艺中会产生重复污染。无论是采用有机溶剂或是清洗液清洗都容易引入新的污染源,然而利用
半导体超声波清洗机清洗技术却可以实现无重复污染,而且能深入MCP孔内的效果。对不同材料及孔径的MCP应采用频率、声强可调的超声波进行实验,以确定实际工艺参数。对孔径6~12μmMCP的清洗,当媒液为水和乙醇时,可采用空化阈约1/3 W/cm2,声强10~20 W/cm2,频率20~120 kHz的超声波进行清洗。表1是同一段不同板号的MCP采用不同频率超声波清洗后表观及电性能测试结果。由检测结果可见,对1μm以下的小颗粒污染物,应选用频率40 kHz以上的超声波进行清洗。
在半导体超声波清洗机（硅片）的清洗过程中，清洗液的温度是一个关键因素。合适的清洗温度能够加快油污的去除，得到*的清洗效果。当硅片浸到清洗液中，硅片上的油污产生膨胀，油污内部以及油污与硅片之间的作用力减弱，温度越高，油污膨胀越大，这种作用力就越弱，表面活性剂分子越容易将油污撬离硅片表面。同时，温度的变化可导致胶束本身性质和被增溶物在胶束中溶解情况发生变化。聚氧乙烯型表面活性剂的聚氧乙烯链（CH2CH2O）n在水中产生水合作用，与水分子中的氢形成氢键。温度升高，氢键减弱，有的甚至断裂，水合作用减小，胶束易于形成，胶束的聚集数亦显著地增加，对油脂等污染物的增溶量增大，这种情况有利于半导体超声波清洗机的清洗。当温度升高到60℃左右时，聚氧乙烯链（CH2CH2O）n加速脱水并产生卷缩，使胶束起增溶的空间减小，增容能力下降，清洗液由透明变成乳浊液，这一温度称做溶液的浊点温度。只有温度接近表面活性剂溶液的浊点温度时，增溶能力zui强，因而清洗液的温度定在60℃比较合理。
