硅片超声波清洗机是半导体、光伏及微电子制造中去除晶圆表面颗粒、有机物、金属离子及光刻胶残留的关键前道设备。其利用高频超声空化效应结合高纯化学药液，实现纳米级洁净度。若操作不当，易导致硅片划伤、边缘崩缺、清洗不均或交叉污染。
硅片超声波清洗机应遵循药液合规、参数精准、流程闭环、环境受控的原则，才能实现洗得净、损得少、效得高。
一、使用前准备
清洗槽配置：
典型四槽流程：碱洗（SC-1：NH4OH/H2O2/H2O）→漂洗→酸洗（SC-2：HCl/H2O2/H2O）→纯水慢提拉干燥；
药液现配现用，温度控制：SC-1（70–80℃）、SC-2（70–80℃）、纯水（65–75℃）；
硅片预检：
确认无严重裂纹或翘曲，避免超声中碎裂；
使用专用PTFE或石英花篮装载，片间距≥3mm，防止碰撞。
二、规范清洗流程
超声参数设置：
粗洗：低频28–40kHz，空化力强，去除大颗粒；
精洗：高频80–170kHz，空化泡小，减少表面损伤；
功率密度建议0.3–0.6W/cm2，过高易致“空化腐蚀”；
清洗时序：
每槽浸泡+超声5–10分钟，纯水槽采用溢流+慢提拉（1–3mm/s），抑制水渍残留；
氮气鼓泡辅助（可选）：在纯水槽通入高纯N2，加速颗粒脱离。
三、运行中监控要点
药液寿命管理：
SC-1/SC-2溶液每处理50–100片后更换，避免金属再沉积；
超声均匀性：
定期用铝箔空化测试法验证槽内能量分布，确保无“死区”；
温度稳定性：
温控偏差应≤±2℃，防止热应力导致硅片微裂。
四、清洗后处理与干燥
立即干燥：清洗后30秒内进入干燥槽，避免水膜干涸留痕；
干燥方式：
优选IPA蒸汽干燥或旋转甩干，禁用压缩空气吹干（引入颗粒）；
洁净转移：
使用无尘镊子或自动机械手，放入Class100氮气柜暂存。
更新时间：2026-02-04
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